Ученые разработали наноматериалы для устройств «хранения памяти»

Инновационные материалы с эффектом оптического перемагничивания, разработанные в ВГУ, позволят обеспечить сверхвысокое быстродействие при записи и ориентированы на рынок наноматериалов для фотоники, микросистемной техники и устройств памяти.

Ученые Воронежского государственного университета (ВГУ) разработали новые магнитные наноструктурированные материалы, которые можно использовать при изготовлении инновационных устройств для хранения и воспроизведения памяти, сообщает в понедельник ВГУ.

Коллектив ученых Воронежского государственного университета выполнил проект «Изготовление магнитных наноструктурированных материалов силицидов переходных металлов (Si-Me) с эффектом оптического перемагничивания для элементов памяти нового поколения». В ходе проекта были получены материалы, которые, как поясняется в сообщении, позволят обеспечить «сверхвысокое быстродействие, которое обеспечивается новым способом записи, еще не используемым в серийных устройствах».

Такие материалы ориентированы, прежде всего, на рынок наноматериалов для фотоники, микросистемной техники и устройств памяти, отмечается в сообщении.

ВГУ является одним из крупнейших вузов России. Он включает в себя 18 факультетов, на которых обучаются более 20 тысяч студентов из 75 регионов России. Ежегодно в стенах университета проходят обучение более 1 тысячи иностранных студентов из около 80 стран мира. За последние полвека в ВГУ прошли подготовку около 15 тысяч иностранных граждан из 141 государства.

Источник: ria.ru